規格參數值：
IPSA70R600CE：
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 700V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 10.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 474pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 86W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 600毫歐 @ 1A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 IPAK（TO-251）
封裝/外殼 TO-251-3 短(duan)截(jie)引線，IPak
IPS70R1K4CE：
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 700V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 225pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 超級結
功率耗散（最大值） 53W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.4 歐姆 @ 1A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO251
封裝/外殼(ke) TO-251-3 短截(jie)引線，IPak
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