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凯亚达 优质高纯 氧化镓 三氧化二镓 Ga2O3 4N-5N_杭州凯亚达半导体材料有限公司

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杭州凱亞達半導體材料有限公司

碲,硫,無氧硒,氯,氧系化合物,銅銦鎵硒,靶材

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凱亞達 優質高純 氧化鎵 三氧化二鎵 Ga2O3 4N-5N

凱亞達 優質高純 氧化鎵 三氧化二鎵 Ga2O3 4N-5N_圖片
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詳細信息

三氧化二鎵(Ga2O3)

 

CAS:12024-21-4


1,技術對接:電弧發加熱,瞬間使鎵氣化,氣化后的鎵蒸氣與過量的氧氣CVD化學氣相沉積而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任


何酸根離子;:氯離子,硝酸根離子;


2,檢驗: GDMS (%純度:所有的雜質元素低于100ppm)


          XRD:(主峰完全對稱);激光粒度分析儀:(粒徑:D50<10微米);


3,服務:提供MSDS及實用的防護措施;提供材料的應用解決方案;提供免費樣品;


4,性狀:α-Ga2O3為六方晶型,β-Ga2O3屬于單斜晶型;


5,純度:%-%;


6,外觀:純白色粉末;


7,包裝:瓶裝:1Kg/,外加鋁復合薄膜真空包裝;


8,應用:TGG單晶,光電子器件,紫外線濾光片等;

9,交期:50公斤/5

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