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凯亚达 优质超高纯砷化镓 GaAs 6N_杭州凯亚达半导体材料有限公司

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1年
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杭州凱亞達半導體材料有限公司

碲，硫，無氧硒，氯，氧系化合物，銅銦鎵硒，靶材

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凱亞達 優質超高純砷化鎵 GaAs 6N

凱亞達 優質超高純砷化鎵 GaAs 6N_圖片
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品牌： 砷化鎵
最小起訂： 1 千克
供貨總量： 500 千克
發貨期限： 付款后 5 天內發貨
有效期至： 長期有效
最后更新： 2019-04-03 16:21
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詳細信息

砷化鎵(GaAs)

1,物理性質:

分子量:

CAS號:1303-00-0

熔點:1238℃

密度:/cm3

外觀:黑灰色固體

晶格常數:×10-10m

禁帶寬度:電子伏

2,合成工藝:高純的砷與高純鎵真空熔煉,后續處理后再進行區熔;

3,純度:6N(%)

3,檢測:GDMS(所有的雜質元素低于1ppm),XRD;

4, 包裝:三層真空包裝或充氬氣保護;

5,服務:提供免費樣品,MSDS及實用的防護措施;

6,應用:集成電路襯底,紅外探測器,γ光子探測器,砷化鎵太陽能電池

關鍵詞： 砷化鎵 GaAs 凱亞達
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